Транзистори нового типу

Група інженерів з університету Вісконсіна-Мадісоне (University of Wisconsin-Madison) створила, з їх слів, "самий функціональний і швидкодіючий тонкоплівковий транзистор в світі". Крім володіння високими електричними показниками, такі транзистори можуть проводитися за допомогою швидких, простих і недорогих методів виробництва, які можуть бути легко розширені до масштабів масового промислового виробництва. Це досягнення дозволить розробникам в недалекому майбутньому створювати нові передові носяться і мобільні пристрої, що володіють високими інтелектуальними здібностями і здатними зберігати свою працездатність при стисненні, розтягненні і інших видах деформації.

Новий тонкоплівковий транзистор виготовляється по BiCMOS-технології (bipolar complementary metal oxide semiconductor). Ці транзистори мають високу швидкодію, здатні пропускати через себе досить великий струм, працювати при відносно високій напрузі і мають малий перехідний опір, що дозволяє знизити кількість енергії, що витрачають даремно у вигляді тепла, що виділяється. При цьому, вся структура транзистора наноситься на поверхню підкладки кремнієвої наномембрани в ході одноетапного процесу високотемпературної обробки.

BiCMOS-транзистори є кращим видом транзисторів для пристроїв обробки "змішаних сигналів", що комбінує обробку як аналогових, так і цифрових сигналів. До таких пристроїв відноситься більшість використовуваних нами в повсякденному житті портативних пристроїв, мобільні телефони, наприклад. "І тепер, завдяки появі нових транзисторів, такі пристрої зможуть стати гнучкими" - розповідає Ма Женкянг (Zhenqiang Ma), професор електроніки і електротехніки.

При використанні традиційних технологій виробництво тонкоплівкових BiCMOS-транзисторів є довгим процесом, в якому використовується кілька етапу високотемпературної обробки. І навіть незначне відхилення температури одного етапу може зруйнувати елементи структури майбутнього транзистора, виготовлені за допомогою попередніх етапів.

"При промисловому виробництві процес виготовлення BiCMOS-транзисторів триває близько трьох місяців" - розповідає Ма Женкянг, - "Наш процес, завдяки виключенню з нього безлічі проміжних етапів, дозволяє вкластися в один тиждень. І це все разом дозволить налагодити випуск пристроїв з такими транзисторами вже в самому найближчому майбутньому ".